檢索結果：共92筆資料 檢索策略： "Kuei-Yi Lee".ecommittee (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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功率金氧半場效電晶體是重要的分立元件。其元件特性包含低導通功率損耗、高輸入組阻抗、快速切換，以及承受大電壓及電流。其元件特性可作為開關使用，主要應用在功率轉換、整流、線路保護等，以電子產品來說用途相…
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本論文研究半透光膜輔助矽膜雷射長晶，在Si (90 nm)/SiO2 (100 nm)/SiONx (1200 nm)，α=15000 cm-1條件下，成功得到20 µm的矽晶粒，並利用…
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜，探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本論文主要是探討具有奈米尺寸厚度的多層二硒化鉬(MoSe2)層狀半導體(Semiconductor)撕之電傳輸特性，實驗上利用機械剝離(Mechanical Exfoliation)的方式製作不同厚…
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本研究之錳酸鍶鑭(La1-xSrxMnO3, LSMO)薄膜因具有高的電阻溫度系數(Temperature coefficient of Resistance, TCR)之特性，所以是應用在非冷卻型…
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奈米材料其分子狀態的特性有別於塊狀物質，因而過去二十年來成為顯學。奈米材料就組成成分來說，包括了金屬態､半導體､硫族化物及氧化物。氧化物奈米材料的氣相製備，往往需要高溫的氧化爐(400℃~1000℃…
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本論文著重探討二氧化錫(tin oxide, SnO2)奈米線之光電導特性與其傳輸機制。在計算光電導增益(photoconductive gain, Γ)的部分，我們可透過3.0 V的低偏壓便量測出…
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為了獲得高性能高均一性的薄膜電晶體，我們藉由透鏡陣列輔助單晶定位技術，將TFT的通道位置以避開晶種的方式製作於粒徑為10μm的單晶矽晶粒中。另外我們也以半吸光層輔助結晶的技術，成功的在非晶矽膜以及多…
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為了達成塑膠基板薄膜電晶體的目標，我們成功開發出利用半吸光層經過準分子雷射回火後，可以實現低溫閘極絕緣膜的改質效果。而此絕緣膜是由100℃具吸收係數的SiONx與SiO2組成。 我們利用吸收係數40…